意法半导体收购氮化镓创新企业Exagan的多数股权

& # x610F& # x6CD5& # x534A& # x5BFC& # x4F53& # x6C2E& # x5316& # 9553;& # x80A1& # x6743意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM宣布签署合并协议,收购法国氮化镓(gan)创新公司Exagan的多数股权。 Exagan在外延工艺、产品开发和应用方面的经验将拓宽和促进意法半导体在汽车、工业和消费类功率gan的发展规划和业务。 Exagan将继续执行现有的产品开发计划,意法半导体将为其产品部署提供支持。 双方的交易条款并未对外公布,按照习惯的交易规定,待法国政府批准后即可完成交易。 签署的M&A协议还规定,意法半导体有权在多数股权收购交易完成24个月后,收购Exagan剩余的少数股权。 这笔交易将以可用现金支付。 意法半导体公司总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示:“意法半导体中的碳化硅发展势头强劲,现在我们正在扩大对另一种有前景的复合材料氮化镓的投资,以推动汽车、工业和消费市场的客户采用GaN功率产品。 收购Exagan的多数股权是我们加强公司在全球功率半导体市场的领先地位以及我们对gan的长期规划、生态系统和业务的又一新举措,是对我们目前与法国图尔CEA-Leti开发项目以及最近宣布的与TSMC合作项目的补充。 氮化镓(GaN)属于宽带隙(WBG)材料家族,包括碳化硅。 GaN基器件是高频电力电子器件产业的一大进步。它们的能效和功率密度高于硅基晶体管。基于GaN的器件可以节省能量并减小系统的整体尺寸。 GaN器件适用于各种应用,例如用于服务器、电信和工业的功率因数校正和DC/DC转换器;个人电子应用,如电动车充电器、DC-DC汽车规则转换器和电源适配器。 Exagan成立于2014年,总部位于法国格勒诺布尔。 该公司致力于推动电力电子行业从硅基技术向GaN-on-silicon技术的转变,并开发更小、更节能的功率转换器。 Exagan的gan电源开关专为标准200毫米晶圆设计。 前瞻性风险陈述1995年私人证券诉讼改革法案安全港陈述:任何上述非历史事实的陈述都是前瞻性陈述,包括任何关于我们未来经营业绩和财务状况、经营战略、未来经营计划和目标的陈述,涉及可能导致实际结果与前瞻性陈述之间存在重大差异的风险和不确定性。 这些陈述只是预测,反映了我们当前对未来事件的看法和预测,并且是基于假设的,可能会因风险和不确定性的影响而随时发生变化。 潜在的风险和不确定性包括但不限于以下因素:交易不完整的可能性,包括任何前提条件导致的交易失败;预期的收购回报可能无法实现的风险;收购后很难留住Exagan的员工;设施扩建、制造工艺和专业知识转移方面的困难;迫使管理层集中精力管理企业的风险;以及与我们的行业和业务相关的竞争影响和其他风险因素,我们将不时在提交给SEC的文件中对此进行详细说明。

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